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中國存儲芯片發展現狀

2016-11-23 11:04:56


  Memory 是 IC 領域最重要的一個領域。目前,這一領域由于其極高的技術壁壘和資本壁壘,在全球形成了極強的寡頭壟斷,三四家廠商壟斷了全球 90%以上的市場。



  近幾年,存儲芯片產品受益于移動智能終端快速滲透,帶來對產品需求的高速增長,過去三年復合增長率 18%,遠高于半導體行業整體 7%的增長速度,成為整個半導體產業增長的主要推動力。

  未來幾年全球 Memory 市場仍有望保持快速增長。

       1)個人電腦與手機等移動終端的需求旺盛,拉動了 DRAM 產值的大幅增加。
?       2)智能手機與固態硬盤(SSD)將成為 NAND Flash最大需求。
       3)3D NAND Flash 成為存儲芯片的重要增長點。

  存儲芯片根據斷電后所儲存的數據是否會丟失,可以分為易失性存儲器(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non-Volatile Memory),其中 DRAM 與 NAND Flash芯片 分別為這兩類存儲器的代表。盡管存儲芯片種類眾多,但從產值構成來看, DRAM 與 NAND Flash 已經成為存儲芯片產業的主要構成部分。

  
  Memory 產品分類

  根據 IHS 的統計,2015 年第三季度三星 DRAM 全球市場占有率達到 45.2%,SK海力士占有率為 27.3%,第三大廠商美光占有率為 20.4%,前三大龍頭合計市占率達到了 93%。在Nand Flash 市場上,2014 年三星市占率為 36.5%,東芝為 31.8%,海力士為 18.9%,美光為 12.8%,前四家廠商幾乎壟斷整個市場。
  
  SDRAM 前三家市占率超 90%
  
   Nand Flash芯片 幾乎被四家廠商壟斷

  總結:綜合目前國內產業現狀來看,發展存儲器產業,有三條路擺在我們面前:自主研發、國際并購和兩岸合作。然而有專家指出,兩岸合作解決不了我國大陸存儲器產業發展的根本性的技術問題,從自主研發來看,似乎可以采取研究院所與企業聯合創新的模式。國際并購投入資本很大,在并購的同時,自主研發必須同步進行。

  無論朝哪個方向走,發展存儲器產業注定沒有捷徑,有行業人士發表觀點,中國存儲要做好長期大規模投入并虧損準備。

      
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