Everspin Technologies公司是全球領先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的設計，制造領導者， Everspin的ST-MRAM能夠提供持久的記憶能力，相較于普通的NAND閃存技術，它可以減少寫入放大倍數(shù)并擁有更好的耐用性。

這款4Mb MRAM MR25H40MDF是一款車規(guī)級的串口MRAM,封裝為8-DFN sf，目標應用為工業(yè)自動化、機器人、網絡和數(shù)據儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設計的系統(tǒng)。擁有出色的耐讀/寫能力，在工作溫度范圍內數(shù)據保持期長達20年以上而不會丟失。這款串口MRAM的存儲芯片可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，獲得更簡單、高效的設計，也是替代電池供電的SRAM解決方案。

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