everspin MR2A08AMYS35 并口MRAM芯片
2018-06-05 14:41:03
Everspin 是全球第一家量產(chǎn)MRAM 的供貨商，并透過(guò)持續(xù)提升技術(shù)與擴(kuò)展 MRAM 產(chǎn)品組合來(lái)領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界的發(fā)展。Everspin 提供市場(chǎng)上最可靠、高效能、且具成本效益的非揮發(fā)性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，以協(xié)助客戶開(kāi)發(fā)獨(dú)特且極具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。 Everspin 專注于維持其市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位并繼續(xù)投入研發(fā)資源，開(kāi)發(fā)下一代 Toggle 和自旋矩(Spin-Torque)MRAM，以及集成磁（Integrated Magnetic）傳感器。公司已擁有超過(guò) 200項(xiàng)專利技術(shù)的完備知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合。
MR2A08AMYS35 是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無(wú)限制的讀/寫(xiě)循環(huán)。在每次寫(xiě)入后，資料能持續(xù)保存超過(guò)20年。此外，與其它存儲(chǔ)器不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產(chǎn)生的軟錯(cuò)誤率(SER, soft error rate)。這款4Mb MRAM由位寬為8位的冰塊MRAM芯片。引腳和功能可與異步SRAM兼容。具高可靠性、快速讀/寫(xiě)、即時(shí)開(kāi)啟、非揮發(fā)性、和無(wú)限次擦除等特性，MR2A08AMYS35目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)儲(chǔ)存、多功能打印機(jī)、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +125℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
本文關(guān)鍵詞：
Everspin
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