現(xiàn)代記憶依靠電子電荷來存儲信息。雖然地球上設計和使用的大部分內存足以完成任務，但當系統(tǒng)離開我們的大氣層時，顯著更高水平的輻射的影響可能會對存儲在太空中的數(shù)據(jù)造成嚴重破壞。
 
MRAM是一種非易失性存儲器，可以保護數(shù)據(jù)免于斷電并在空間中正常運行。Everspin及其合作伙伴在太空和易輻射環(huán)境中擁有比其他公司都多的MRAM。
 
Everspin MRAM制造商可以在后端(BEOL)FAB中提供8英寸MRAM晶圓。與多個CMOS前端(FEOL)代工廠選項配合使用能夠提供分立和嵌入式MRAM。Everspin一直以這種方式為其合作伙伴生產太空級MRAM。
 
在更高級的節(jié)點上，Everspin從2017年開始交付商用MRAM（40納米到22納米）。定制MRAM或嵌入式MRAM設備也可以在這些節(jié)點上使用。Everspin MRAM已經過獨立測試，并且顯示在大于1Mrad和LET值為84MeV-cm2/mg時具有零硬錯誤。
 
Everspin還擁有商業(yè)內存路線圖，可提供商業(yè)現(xiàn)貨(COTS)功能，有助于提高RADHARD解決方案的效率、成本管理和長期可用性。長期路線圖讓設計人員有信心將MRAM設計到他們的軍事和航空航天解決方案中，而不必擔心因不斷的產品變化而過時或重新認證。


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