STM32F103ZET6屬于STM32F103xE增強型系列,工作頻率為72MHz,內置高速存儲器(高達512K字節的閃存和64K字節的SRAM) ,豐富的外設資源足以滿足大部分的一般應用,但對于一些需要采集處理較多數據.應用算法或使用GUI等場合,內置的SRAM就顯得捉襟見肘了,這時就需要擴展SRAM了。
 
IS61LV51216是ISSI公司生產的常用16位SRAM異步存儲芯片,內部512k存儲容量足以滿足多數場合應用需求,存取時間8~12ns ,全靜態操作,不需時鐘或刷新,兼容TTL標準接口,具有高速,可靠、易操作.低功耗等優點。ISSI總代理英尚微電子支持提供例程及FAE等技術支持。
 
FSMC(靈活的靜態存儲器控制器)是STM32采用的一種新型存儲器控制技術,包含四個主要模塊:AHB接口.NOR閃存和PSRAM控制器、NAND閃存和PC卡控制器、外部設備接口。
 
STM32F103系列中的64腳的STM32F103Rx系列沒有FSMC功能,無法擴展SRAM;100腳的STM32F103Vx系列的FSMC在使用時需要管腳復用,不僅設置起來更復雜一些,而且還需增加鎖存器,FSMC本身也占用大量管腳,在許多應用場合中造成管腳分配困難，但成本卻與144腳的STM32F103Zx系列相差不大,因此在需要擴展SRAM時除非對成本要求特別嚴格或有其他要求,一般較少選用STM32F103Vx系列。
 
硬件電路設計
STM32F103ZET6與IS61LV51216的硬件電路連接:管腳接法同時兼容容量較小但成本更低的IS61LV25616。由于篇幅原因,IS61LV51216芯片的A18-AO為地址線,在此沒有用到的FSMC_A可以作為通用IO使用,I/O15-I/O0為數據線,CE為片選引腳,本例選擇使用地址為bank1的第三個子區域,片選腳為FSMC_NE3,WE為寫入使能引腳,控制存儲器的寫入和讀取,DE為輸出使能引腳。LB為低位控制腳,UB為高位控制腳,用于將32位數據分割為連續的16位數據進行操作。
 
 
更多詳情點擊該鏈接：http://www.hpgs.net.cn/list-75-1.html


本文關鍵詞：SRAM

相關文章：STM32F030C8T6兼容替換型號MM32F031C8T6

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。